Intel 10nm工艺率先投入NAND闪存

时间:2017-09-27 04:01:31   责任编辑:zhenyu

Intel在尖端制造大会上正式向大家展示了基于最新的10nm制程工艺,并且称基于10nm的Cannon Lake处理器将会在今年开始量产。不过现在有消息称,首批投放市场的10nm产品并不是CPU,而是目前大红大紫的NAND闪存。

有消息称,Intel计划在自家最新的64层NAND闪存上使用最新的10nm制程工艺,至于为什么率先使用10nm工艺,业界认为相比较于CPU,NAND结构相对简单,基本上就是海量同类晶体管堆积。

Intel在大会上表示,与目前所使用的工艺相比,未来的10nm制程能够让晶体管密度提升2.7倍之多。

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