三星电子启动西安工厂V9洁净室工程 加速NAND闪存产线升级

5月22日，据半导体行业消息，三星电子在3月底启动第八代V-NAND（V8）量产后，已着手在中国西安工厂进行第九代V-NAND（V9）的生产线转换工作，洁净室建设已进入准备阶段。

据悉，三星电子正加速将西安工厂转为高堆叠层数V-NAND生产线。在完成从128层V6向236层V8的转换投资后，该工厂已于3月30日进入V8的批量生产阶段。行业分析认为，V6产品在该工厂的产能比例已基本缩减或进入收尾阶段。

三星电子西安工厂

为推进NAND技术转换，三星电子在中国的投资规模持续扩大。据上海半导体材料创新联盟（ICMIC）数据，2025年三星电子对西安工厂的投资额预计约3.04亿美元（约合4654亿韩元），较上年增长约67.5%。

三星电子计划在年内完成286层V9的投资，并启动量产准备工作。目前，为构建V9生产线而进行的洁净室工程正在筹备中，预计相关设施完工并正式启用V9产线的时间点将在2027年。届时，V8与V9产线将以共存形式运营一段时间。

三星电子第九代V-NAND

uzhuangji.net了解到，西安工厂是三星电子全球NAND生产的核心基地，占其全球NAND总产能的约40%。据估算，2025年该工厂实现销售额约8.64万亿韩元，净利润约1.11万亿韩元。