长鑫存储拟2027年量产12层HBM3E 与全球存储巨头技术差距或缩短至2至3年

5月28日，据半导体行业相关信息显示，国内目前正以最大DRAM厂商长鑫存储为核心，加快高带宽内存（HBM）的商用化进程，相关产业能力提升动作持续推进。

SK海力士无锡工厂

长鑫存储的HBM研发进度方面，目前该公司已推出HBM3样件，向华为等国内AI芯片厂商供货，现阶段正处于量产前的验证环节，同时规划明年实现12层HBM3E的量产。如果该计划落地，长鑫存储与三星电子、SK海力士、美光三家头部存储厂商的技术差距将缩短至2到3年。此外，国内NAND厂商长江存储也有可能加入下一代HBM的开发，国内计划整合长鑫存储的DRAM制造能力与长江存储的3D封装技术，推进更高层数的HBM研发，目前双方针对20层级HBM所需的混合键合技术的合作已在推进中。

三星HBM4

uzhuangji.net注意到，市场调研机构Counterpoint数据显示，2026年第一季度全球DRAM市场中，三星电子、SK海力士、美光分别以38%、22%、22%的份额占据前三，长鑫存储的DRAM收入同比上涨超700%，以8%的份额位列第四，较上年同期3%的份额增长超两倍。

行业相关人士分析称，虽然国内HBM研发进展较快，但HBM的核心竞争力涉及硅通孔技术、堆叠封装、发热控制、量产良率稳定及客户认证经验等多个维度，目前国内厂商与三大头部存储厂商的实际差距仍然较大。不过依托国内政策支持以及本土AI产业的内需优势，满足可用标准的HBM产品有望在国内AI生态中快速普及，对韩国存储厂商而言属于需要中长期关注的行业趋势。

目前三星电子、SK海力士均在国内设有生产基地，三星西安工厂承担其全球约40%的NAND产能，SK海力士也在无锡、大连设有DRAM和NAND生产基地。行业人士指出，当前国内市场仍是头部存储厂商重要的生产和需求市场，相关厂商需要加强核心工艺、良率及封装相关的技术管理。