台积电五座2nm厂以二倍速推进扩产 首年产出较3nm提升45%

4月28日，台积电资深副总经理侯永清对外表示，为应对人工智能（AI）与高性能计算（HPC）需求的爆发式增长，台积电正以“二倍速”推进扩产计划。相较于过往的扩产节奏，公司今年将同时有五座2nm制程晶圆厂进入产能爬坡阶段。受益于这一前所未有的扩产力度，2nm制程的首年产出将比3nm制程同期提升约45%。

台积电

扩产提速：五座2nm厂同步推进

侯永清指出，当前AI与HPC芯片对先进制程的需求极为强劲，台积电必须以前所未有的速度扩大产能。按照规划，2026年内将同时有五座2nm晶圆厂进入产能爬坡阶段，这一数字远超3nm量产初期的工厂数量。通过多座工厂并行投产，台积电旨在快速满足客户对下一代芯片的迫切需求。

产出跃升：首年产能增幅显著

得益于多座工厂的集中产能释放，2nm制程在量产首年的晶圆产出量将比3nm同期高出约45%。这意味着2nm的初期供应能力将大幅优于上一代节点，有助于缓解客户对先进制程产能紧缺的担忧。

需求驱动：AI与HPC成扩产核心动力

台积电此次决定以“二倍速”扩产，直接源于市场对AI加速器和HPC处理器的旺盛需求。头部芯片设计公司已纷纷采用2nm工艺规划下一代产品，涵盖AI训练芯片、数据中心CPU及高端GPU等领域。台积电希望通过提前布局产能，巩固其在先进逻辑制程领域的领先地位。

未来展望：2nm有望成为台积电最快放量的制程节点

CNMO注意到，若五座工厂的产能爬坡顺利，2nm将成为台积电历史上产能提升速度最快的制程节点。这不仅将增强公司的营收弹性，也将为全球AI与高性能计算产业链提供坚实的制造基础。