5月8日,uzhuangji.net从外媒获悉,三星电子已在上月完成平泽P5工厂第一阶段系统密封工程的设备数量审核,预计下半年将正式进入主体施工阶段。P5工厂将按照多个阶段顺序建设,此次进展较此前预期提前约半年。
三星电子平泽区域鸟瞰图
据了解,系统密封工程是为构建半导体制造所需的洁净室,在天花板结构上安装过滤器、照明、面板等设备的工序。其洁净室通过控制温度、湿度、压力等环境参数,将洁净度维持在极高水准,是防止制造缺陷的必要空间,也是工厂建设中最早启动的环节。
P5工厂规划建设6个洁净室,共3层结构。其空间规模约为拥有4个洁净室、2层结构的P4工厂的1.5倍。业界预计,P5与计划2028年后动工的P6工厂合计产能,将达到现有P1至P4四座工厂的总和水平。P5预计于2028年正式投产,可能设计为可同时容纳DRAM、NAND和代工生产线的混合多厂形式。
三星电子计划将P5第一阶段建设为1c纳米尖端DRAM专用生产线。1c纳米工艺的电路线宽约为11至12纳米,相比上一代1b纳米工艺,在能效和集成度方面均有提升。三星电子将1c纳米技术率先应用于第六代HBM4的核心芯片,以实现差异化竞争力。据三星介绍,基于1c纳米工艺的HBM4实现了11.7Gbps的传输速度,较国际半导体标准组织JEDEC规定的8Gbps标准提升约46%,最高可达13Gbps,满足英伟达等主要客户提出的11Gbps以上性能要求。
三星电子内存战略营销室副社长金在俊在近期财报电话会议上表示,公司HBM销售额预计同比增长超过3倍,1c纳米等最先进工艺确保了产品竞争力。他指出,HBM4的性能规格提升由三星主导,客户采用其产品后,卓越性能已转化为实际溢价。
三星电子计划在下一代HBM4E中也采用1c纳米核心芯片。HBM4E目标实现每引脚16Gbps速度和4.0TB/s带宽,预计于第二季度向主要客户提供首批样品。为巩固HBM市场主导地位,三星电子正加速1c纳米产能扩张。同样作为1c纳米生产线的P4第四阶段和第二阶段的洁净室建设已接近尾声,预计下半年起主要前工序设备将陆续搬入。
半导体行业相关人士表示,平泽P4第四阶段和第二阶段的洁净室设备搬入已基本进入收尾阶段,P5工厂预计下半年正式启动施工。
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